1. BCV 62A E6327
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BCV 62A E6327 

产品描述

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-143 T/R

内部编号

173-BCV-62A-E6327

生产厂商

infineon technologies

infineon

#1

数量:4800
120+¥0.513
240+¥0.4845
600+¥0.4655
1200+¥0.456
最小起订量:120
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:6000
3000+¥0.56
6000+¥0.504
15000+¥0.448
30000+¥0.42
75000+¥0.372
150000+¥0.353
最小起订量:3000
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#3

数量:94
1+¥3.2821
10+¥2.147
100+¥0.9163
1000+¥0.7043
3000+¥0.5333
9000+¥0.4786
18000+¥0.4445
45000+¥0.3966
99000+¥0.3829
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BCV 62A E6327产品详细规格

规格书 BCV 62A E6327 datasheet 规格书
BCV 62A E6327 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 2 PNP (Dual)
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 650mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 125 @ 2mA, 5V
功率 - 最大 300mW
频率转换 250MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-253-4, TO-253AA
供应商器件封装 PG-SOT143-4
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 4SOT-143
类型 PNP
引脚数 4
最大集电极发射极电压 30 V
集电极最大直流电流 0.1 A
最小直流电流增益 100@1mA@10V|125@2mA@5V
最大工作频率 250(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA V
工作温度 -65 to 150 °C
最大功率耗散 300 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 2 PNP (Dual)
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 250MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 650mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
供应商设备封装 PG-SOT143-4
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 300mW
封装/外壳 TO-253-4, TO-253AA
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 125 @ 2mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 BCV62AE6327INCT
工厂包装数量 3000
增益带宽产品fT 250 MHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
系列 BCV62
直流集电极/增益hfe最小值 100 at 1 mA at 10 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 30 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 30 V
最低工作温度 - 65 C
零件号别名 BCV62AE6327HTSA1 SP000010889
配置 Dual
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
最高工作频率 250 MHz
最大直流集电极电流 0.1 A
长度 2.9mm
最高工作温度 +150 °C
晶体管类型 PNP
安装类型 表面贴装
晶体管材料 Si
高度 1mm
最大基极-发射极饱和电压 850 mV
最大功率耗散 300 mW
宽度 1.3mm
封装类型 SOT-143
最大集电极-发射极电压 30 V
引脚数目 4
最小直流电流增益 100
尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm
晶体管配置 电流反射镜
最大发射极-基极电压 6 V
最大集电极-发射极饱和电压 650 mV
每片芯片元件数目 2
最大集电极-基极电压 30 V
宽度 1.3 mm
品牌 Infineon Technologies
直流电流增益hFE最大值 220
集电极 - 发射极饱和电压 250 mV
长度 2.9 mm
连续集电极电流 100 mA
身高 1 mm
Pd - Power Dissipation 300 mW

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